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低噪聲SI硅高速平衡光電探測器

低噪聲SI硅高速平衡光電探測器

簡要描述:
帶寬 DC 至 500 MHz,共模抑制比 (CMRR) 40 dB 典型值,Si-PIN 探測器,0.4 mm 有效直徑,光譜范圍 320 – 1000 nm,極低 NEP,低至 12 pW/√Hz,跨阻增益可切換 5 × 103 V/A、10 × 103 V/A,高動態輸入范圍,最高可達 2 × 10 mW 平衡光功率,低噪聲SI硅高速平衡光電探測器HBPR-500M-10K-SI-FC/FS

更新時間:2024-09-11

訪問量:180

廠商性質:生產廠家

生產地址:德國

一、特征

帶寬 DC 至 500 MHz

共模抑制比 (CMRR) 40 dB 典型值

Si-PIN 探測器,0.4 mm 有效直徑

光譜范圍 320 – 1000 nm

極低 NEP,低至 12 pW/√Hz

跨阻增益可切換 5 × 103 V/A、10 × 103 V/A

高動態輸入范圍,最高可達 2 × 10 mW 平衡光功率

具有 10 MHz 帶寬和 1 × 103 V/A 增益的快速監視器輸出

可切換低通濾波器,用于最大限度地降低寬帶噪聲

自由空間輸入 1.035"-40 螺紋,可使用可選的旋入式適配器輕松轉換為光纖輸入 (FC 和 FSMA)

UNC 8-32 和 M4 螺紋孔,用于安裝在具有公制和英制螺紋的標準柱上

二、規格參數

型號HBPR-500M-10K-SI-FST
HBPR-500M-10K-SI-FC
Si-PIN光電二極管0.4 mm ?,FC 版本,帶球透鏡
波長范圍320 – 1000 nm
帶寬(-3 dB)DC-500MHz
跨阻增益(可切換)5×10^ 3V/A
10×10^ 3V/A
最大轉換增益(可切換)2.55 x 10 3 V/W typ
5.1 x 10 3 V/W typ
@ 760 nm)
低ENP≤ 12 pW/√Hz (@760 nm)
NEP (@20MHz)≤ 13 pW/√Hz (@760 nm)
共模抑制(典型值)40dB
最大共模功率10 mW / 每個光電二極管
低通濾波器帶寬可切換至 20 MHz
高通濾波器(交流耦合)直流耦合可切換為交流耦合
 * 截止頻率:10 Hz
信號輸出±1.0 V @50 Ω 負載(線性放大和低諧波失真)
最大 ±2.0 V @50 Ω 負載
監控輸出跨阻增益:1000 V/A,
帶寬:DC 至 10 MHz,
輸出電壓:0 至 +10 V(@ ≥100 kΩ 負載)
電源輸入±15 V (±14.5 V … ±16.5 V),–90 / +120 mA typ
大小80 x 80 x 30.5 mm(長 x 寬 x 高),重量 350 克(0.77 磅)

三、應用

光譜學

異差檢測

光學相干斷層掃描 (OCT)

光學延遲測量

示波器、頻譜分析儀、A/D 轉換器和 RF 鎖相放大器的差分光學前端

四、電路圖

低噪聲SI硅高速平衡光電探測器

低噪聲SI硅高速平衡光電探測器HBPR-500M-10K-SI-FC/FS

低噪聲SI硅高速平衡光電探測器HBPR-500M-10K-SI-FC/FS

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